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LED產(chǎn)業(yè)鏈的現(xiàn)狀與未來(lái)

* 來(lái)源: * 作者: admin * 發(fā)表時(shí)間: 2020-03-30 18:16:35 * 瀏覽: 337

   LED產(chǎn)業(yè)鏈的現(xiàn)狀與未來(lái)

摘要:LED產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈主要可分四部分:即LED外延片生長(zhǎng)、芯片制造、器件封裝和應(yīng)用產(chǎn)品及相關(guān)配套產(chǎn)業(yè),分為上游、中游和下游。半導(dǎo)體襯底材料、外延晶片的制造是上游產(chǎn)業(yè),芯片制造是中游產(chǎn)業(yè),器件封裝及基于LED器件的應(yīng)用產(chǎn)品制造是下游產(chǎn)業(yè)。

 

引言:發(fā)光二極管(LEDs)的*新進(jìn)展使得照明行業(yè)快速增長(zhǎng)。目前,固態(tài)照明技術(shù)逐步滲透到不同細(xì)分市場(chǎng),如汽車(chē)照明、室內(nèi)及室外照明、醫(yī)療應(yīng)用、以及生活用品。

 

   一、LED的市場(chǎng)發(fā)展軌跡

 

   美國(guó)能源部*新報(bào)告指出,至2020年,該技術(shù)有望減少照明行業(yè)15%的能源消耗,2030年節(jié)約30%——即光2030年就能節(jié)約261 TWh(太瓦時(shí))的能量,以當(dāng)前的價(jià)格計(jì)算其價(jià)值超過(guò)260億美元,相當(dāng)于美國(guó)兩千四百萬(wàn)家庭目前的能源消費(fèi)總和。此外,這些節(jié)約的能量用于混合發(fā)電廠將減少大概一千八百萬(wàn)噸CO2溫室氣體的排放。

 

   雖然在很多情況下,這些設(shè)備的初始成本仍然高于現(xiàn)有的光源設(shè)備,但是LEDs更高的效率以及更長(zhǎng)的壽命使其具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。Strategies Unlimited估計(jì)2013年全球銷(xiāo)售出4億只LED燈,McKinsey調(diào)查表明2016年LEDs在全球普通照明市場(chǎng)的份額將達(dá)到45%,2020年將接近70%。到2020年,該領(lǐng)域的市場(chǎng)容量預(yù)計(jì)將從目前的約260億美元提高到720億美元。

 

   LED裝置是一個(gè)復(fù)雜的多組分系統(tǒng),可根據(jù)特定需求調(diào)整性能特征。以下章節(jié)將討論白光LED及其他應(yīng)用。

 

   1、LED的發(fā)展之路

 

   無(wú)機(jī)材料中電致發(fā)光現(xiàn)象是LED發(fā)光的基礎(chǔ),HenryRound和Oleg Vladimirovich Losev于1907年和1927年分別報(bào)道LED發(fā)光現(xiàn)象——電流通過(guò)使得碳化硅(SiC)晶體發(fā)光。這些結(jié)果引發(fā)了半導(dǎo)體及p-n結(jié)光電過(guò)程的進(jìn)一步理論研究。

 

   20世紀(jì)50、60年代,科學(xué)家開(kāi)始研究Ge、Si以及一系列III-V族半導(dǎo)體(如InGaP、GaAlAs)的電致發(fā)光性能。Richard Haynes和William Shockley證明了p-n結(jié)中電子和空穴復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。隨后,一系列半導(dǎo)體被研究,最終于1962年由Nick Holonyak開(kāi)發(fā)出了第*個(gè)紅光LED。受其影響,1971年George Craford發(fā)明了橙光LEDs,1972年又相繼發(fā)明了黃光和綠光LEDs(均由GaAsP組成)。

 

   強(qiáng)烈的研究迅速使得在寬光譜范圍內(nèi)(從紅外到黃色)發(fā)光的LEDs實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,主要用于電話或控制面板的指示燈。實(shí)際上,這些LEDs的效率很低,電流密度有限,使得亮度很低,并不適于普通照明。

 

   2、藍(lán)光LEDs

 

   高效的藍(lán)光LEDs的研發(fā)花費(fèi)了30年的時(shí)間,因?yàn)楫?dāng)時(shí)沒(méi)有可應(yīng)用的足夠質(zhì)量的寬帶隙半導(dǎo)體。1989年,第*個(gè)基于SiC材料體系的藍(lán)光LEDs商品化,但由于SiC是間接帶隙半導(dǎo)體,使得其效率很低。20世紀(jì)50年代末就已經(jīng)考慮使用直接帶隙半導(dǎo)體GaN,1971年JacquesPankove展示了第*款發(fā)射綠光的GaN基LED。然而,制備高質(zhì)量GaN單晶以及在這些材料中引入n-型和p-型摻雜的技術(shù)仍然有待開(kāi)發(fā)。

 

   20世紀(jì)70年代發(fā)展的金屬-有機(jī)物氣相外延(MOVPE)等技術(shù)對(duì)于高效藍(lán)光LEDs的發(fā)展具有里程碑意義。1974年,日本科學(xué)家Isamu Akasaki開(kāi)始采用這種方法生長(zhǎng)GaN晶體,并與Hiroshi Aman合作于1986年通過(guò)MOVPE方法首次合成了高質(zhì)量的器件級(jí)GaN。

 

   另一個(gè)主要挑戰(zhàn)是p-型摻雜GaN的可控合成。實(shí)際上,MOVPE過(guò)程中,Mg和Zn原子可進(jìn)入這種材料的晶體結(jié)構(gòu)中,但往往與氫結(jié)合,從而形成無(wú)效的p-型摻雜。Amano、Akasaki及其合作者觀察到Zn摻雜的GaN在掃描電子顯微鏡觀察過(guò)后會(huì)發(fā)射更多的光。

 

   同樣的方式,他們證明了電子束輻射對(duì)Mg原子的摻雜性能起到有益的作用。隨后,Shuji Nakamura提出在熱退火之后增加一個(gè)簡(jiǎn)單的后沉積步驟,分解Mg和Zn的復(fù)雜體,該方法可輕易實(shí)現(xiàn)GaN及其三元合金(InGaN、AlGaN)的p-型摻雜。

 

   應(yīng)該指出的是,這些三元體系的能帶可通過(guò)Al和In的成分進(jìn)行調(diào)節(jié),使得藍(lán)光LEDs的設(shè)計(jì)增加了一個(gè)自由度,對(duì)于提高其效率具有重要的意義。事實(shí)上,目前這些器件的活性層通常由一系列交替的窄帶隙InGaN和GaN層以及寬帶系的p-型摻雜AlGaN薄膜(作為載流子的p-端約束)組成。

 

   1994年,Nakamura及其合作者基于n-型和p-型摻雜AlGaN之間Zn摻雜InGaN活性層的對(duì)稱(chēng)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),首次展示了具有2.7%外量子效率(EQE)的InGaN藍(lán)光LED(框1列舉出了LEDs主要的性能指標(biāo)定義)。

 

   該LED結(jié)構(gòu)示意圖示于圖1a。這些結(jié)果對(duì)于如今應(yīng)用的LED基照明技術(shù)而言是很關(guān)鍵的,也因此引發(fā)了照明行業(yè)的革命。2014年底,諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予Akasaki、Amano和Nakamura,表彰他們“發(fā)明用于照明以及白光源節(jié)能的高效藍(lán)光LED”。

 

   3、LED性能指標(biāo)

 

   量子效率Quantum efficiency:材料內(nèi)量子效率(IQE)為輻射的電子-空穴復(fù)合(即產(chǎn)生光子)數(shù)量與復(fù)合總量(輻射與非輻射)的比值。

 

   該指標(biāo)決定了半導(dǎo)體材料發(fā)光效率。半導(dǎo)體LED性能通常使用外量子效率(EQE)表示,即IQE與提取效率的乘積。提取效率特指產(chǎn)生的光子中逃離LED的部分。EQE取決于直接影響IQE的半導(dǎo)體層缺陷和影響提取效率的器件構(gòu)造。

 

   發(fā)光效率(Luminous efficacy):發(fā)光效率表示光源發(fā)射可見(jiàn)光輻射的效率,單位一般為lm W?1。光源以單色綠光(頻率為4501012 Hz,對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)約為555nm,人類(lèi)眼睛最敏感的光,圖2b為相應(yīng)的眼睛靈敏度曲線)轉(zhuǎn)換100%電能,其最大發(fā)光效率達(dá)到683 lm W?1。

 

   照明用的白光源通常要求有比全部可見(jiàn)光波段更寬的發(fā)射光譜,因此其發(fā)光效率明顯低于其最大值。電能轉(zhuǎn)換成眼睛靈敏度曲線以外的輻射,無(wú)法用于照明,本應(yīng)盡可能減小這類(lèi)輻射。

 

   相關(guān)色溫(Correlated colour temperature):用于比較不同照明技術(shù)的參比光源是處于熱平衡的黑體輻射。根據(jù)普朗克輻射定律(Planck's law of radiation),黑體白熾燈的發(fā)射光譜取決于它的溫度,相應(yīng)于不同溫度下輻射的色點(diǎn)用CIE圖表示,即稱(chēng)之為普朗克軌跡(Planckian locus)的黑點(diǎn)曲線(圖2f、h)。

 

   沿著普朗克軌跡的不同位置,白光的相關(guān)色溫(CCT)大致可分為“暖白”(2,500-3,500 K)、“自然白”(3,500–4,500 K)、“冷白”(4,500–5,500 K)以及日光(5,500–7,500 K)。

 

   顯色指數(shù)(Colour rendering index):顯色指數(shù)(CRI)是一個(gè)無(wú)量綱的指標(biāo),描述白光源以一種相對(duì)于人類(lèi)視覺(jué)感知而言準(zhǔn)確且舒適的方式顯色的能力,同時(shí)考慮參比光源(相同CCT下,黑體輻射在CCT<6,000 cct="">6,000 K條件下進(jìn)行測(cè)試)。

 

   CRI通常被定義為8個(gè)測(cè)試顏色樣本(R1-R8)的顯色平均值,額定范圍在0到100之間。對(duì)于高CRI采用額外的R9值,表示深紅色。CRI=100意味著由測(cè)試光源發(fā)光的所有顏色樣本都與參比光源發(fā)光的相同樣本具有相同的顏色。

 

1. 藍(lán)光InGaN LED芯片的設(shè)計(jì)

 

   a.第*個(gè)藍(lán)光InGaN/AlGaN LED示意圖。

 

   b. 具有倒置結(jié)構(gòu)以及無(wú)接觸前表面的倒裝LED芯片示意圖。兩個(gè)接觸點(diǎn)被焊接在靠近LED的基板上。

 

   c. *高水準(zhǔn)的薄膜型倒裝LED示意圖及LED器件的俯視圖。這三種示意圖的有效層簡(jiǎn)化表示了雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單或多量子阱結(jié)構(gòu)InGaN/AlGaN。

 

   過(guò)去20年,藍(lán)光LED的EQE逐步提高,這也是不斷降低GaN晶體結(jié)構(gòu)缺陷密度的結(jié)果。出于成本效益的原因,這種材料通常生長(zhǎng)于藍(lán)寶石襯底上,然而二者存在著16%的晶格失配以及不同的熱膨脹系數(shù)。這兩個(gè)因素導(dǎo)致1,000℃附近MOVPE生長(zhǎng)GaN過(guò)程中位錯(cuò)缺陷的產(chǎn)生。

 

   細(xì)致優(yōu)化生長(zhǎng)工藝可使缺陷保持在107~108 cm-2范圍內(nèi),但需進(jìn)一步提高其他LED應(yīng)用的相同結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的質(zhì)量。雖然InGaN LEDs存在很高的缺陷密度,但其具有比其他低缺陷密度的寬帶隙半導(dǎo)體二極管(如ZnSe)更高的效率,具體原因至今不明。

 

   另一個(gè)強(qiáng)烈影響LEDs提取效率以及內(nèi)量子效率(IQE)提高的因素是器件的構(gòu)造。圖1a顯示了外p-型GaN層,其具有相對(duì)較低的電導(dǎo)率,從而限制了器件中的空穴注入,但是這個(gè)瓶頸可通過(guò)覆蓋整個(gè)p-GaN表面的更大p-型接觸來(lái)克服。然而,電接觸會(huì)阻礙輸出光子。

 

   幾種設(shè)計(jì)方案都可以解決這個(gè)問(wèn)題,如圖1b、c所示。倒裝芯片(圖1b)是指芯片倒置安裝且p-和n-接觸都在背后。這種構(gòu)造提供更好的散熱,獲得更高的電流密度,從而使得每片芯片表面具有更高的光輸出。藍(lán)寶石在藍(lán)光和綠光區(qū)域是透明的,并不妨礙發(fā)光。

 

   此外,接觸部位可采用涂層(例如Ag)來(lái)反射那些向基座方向發(fā)射的光子??刹捎帽∧ば酒寡b法(圖1c)進(jìn)一步提升性能。從n-GaN層上講基底移除,并將表面粗糙化,以提高光提取效率。據(jù)報(bào)道,結(jié)合材料以及構(gòu)造的進(jìn)展,~444nm處發(fā)光的InGaN LEDs在20mA下EQE可達(dá)到84.3%。

 

   4、從藍(lán)光到白光

 

   對(duì)于今天無(wú)處不在的白光LEDs而言,高效率藍(lán)光發(fā)光二極管的發(fā)明具有里程碑意義。相對(duì)于傳統(tǒng)光源,LEDs具有更高的能量效率,更重要的是可調(diào)節(jié)發(fā)光性能更好的適應(yīng)不同的應(yīng)用,例如舞臺(tái)照明、建筑照明等等。

 

   一般來(lái)說(shuō),可通過(guò)幾種不同方法獲得白光LEDs。一種是組合發(fā)藍(lán)光、綠光和紅光的三個(gè)不同半導(dǎo)體LEDs(圖2a左)。該方法最大的挑戰(zhàn)在于綠光半導(dǎo)體的EQE相對(duì)較低(≈25%),限制了相應(yīng)白光LED的發(fā)光效率(圖2c)。InGaN與高含量銦形成的固溶體通常被用于直接發(fā)射綠光。基底與InGaN間的晶格失配度隨銦含量的提高而增加,從而產(chǎn)生更高的缺陷密度。另外,描述原子核周?chē)娮用芏确植几淖兊牧孔恿W(xué)Stark效應(yīng)也隨銦含量的提高而更加明顯,從而降低綠光波段內(nèi)的EQE。

 

   為了避免這一局限,基本上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的綠光熒光轉(zhuǎn)換LEDs(pc-LEDs)直接采用藍(lán)光LED發(fā)射綠光,在商業(yè)產(chǎn)品中通常用以取代綠光半導(dǎo)體(圖2a右,圖2c)這種雜化LED典型的發(fā)光光譜如圖2b所示。

 

   這些雜化產(chǎn)品(直接藍(lán)光和紅光加pc-綠光)的發(fā)光效率顯著提高,且可獲得高顯色指數(shù)(CRI)值。由于紅、綠、藍(lán)(RGB)LEDs中三個(gè)獨(dú)立發(fā)光體隨時(shí)間的推移具有不同的光譜漂移,且具有不同的熱降解率,使得其顏色穩(wěn)定性較差。

 

   可獨(dú)立控制RGB中每個(gè)通道的復(fù)雜且昂貴的電路需要補(bǔ)償這個(gè)不想要的效應(yīng),所以這些構(gòu)造在白光應(yīng)用中的使用有限。對(duì)于功能照明以及物體和建筑照明而言,由額外電子元件提供混色功能(可動(dòng)態(tài)改變輸出色彩的基調(diào))是非常有前景的。

 

2. LED發(fā)射白光的不同方法

 

   a.白光LEDs示意圖。左:三個(gè)直接發(fā)光LEDs(藍(lán)光,InGaN;綠光,InGaN;紅光,AlInGaP)。右:兩個(gè)直接發(fā)光LEDs(藍(lán)光,InGaN;紅光,AlInGaP)和一個(gè)綠光pc-LEDs。

 

   b. 由直接發(fā)藍(lán)光和紅光的LEDs和一個(gè)綠光pc-LED組合而成的白光LED的發(fā)光光譜?;疑幱白V線:人類(lèi)眼睛靈敏度曲線。

 

   c. 半導(dǎo)體LEDs的外量子效率(EQE)。藍(lán)色方塊,InGaN基LEDs;紅色三角形,AlInGaP基LEDs;綠色方塊,綠光pc-LED。

 

   d. 白光pc-LED和涂層上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的藍(lán)光InGaNLED示意圖。

 

   e. 具有寬帶黃光熒光的白光pc-LED的發(fā)光光譜。

 

   f. 國(guó)際照明委員會(huì)(CIE,1931年)繪制的黑體曲線(實(shí)心黑點(diǎn)線)和CCT值。白色方塊表示直接藍(lán)光LED和黃色發(fā)光材料(YAG:Ce)的CIE顏色坐標(biāo)。所有感知顏色都可沿著pc-LED的點(diǎn)線獲得。

 

   g. CCT=2,700 K的pc-LEDs的發(fā)光光譜。黑線:窄帶紅光Sr[LiAl3N4]:Eu2+ LED(CRI=98,R9>90)。白色虛線:Sr[LiAl3N4]:Eu2+發(fā)光概括。紫色曲線:商用LED(CRI = 96,R9>80)。兩個(gè)LEDs顯示出了與2,700 K黑體輻射(黑色點(diǎn)劃線)良好的匹配關(guān)系。而采用窄帶紅光材料的pc-LED在紅外區(qū)域的溢出(黑色的向下箭頭)明顯減小。

 

   h. CIE圖。白色方塊表示直接藍(lán)光LED、黃色發(fā)光材料(YAG:Ce)、額外紅色熒光的CIE顏色坐標(biāo)(Sr[LiAl3N4]:Eu2+)。Pc-LED添加混合可獲得所有的顏色,用三角形表示。在此,可獲得黑體曲線(黑色實(shí)線)的幾乎所有CCT值。

 

   根據(jù)混色原理(圖2d),基于pc-LED策略提供白光的一個(gè)簡(jiǎn)單方法是結(jié)合單個(gè)藍(lán)光InGaN芯片和一個(gè)或多個(gè)可見(jiàn)光區(qū)的發(fā)光材料。遵循這一策略,早在1996年由Nichia開(kāi)發(fā)的第*款商業(yè)化白光pc-LEDs就使用Ce3+摻雜的石榴石材料(如Y3?xGdxAl5?yGayO12:Ce3+(YAG:Ce))來(lái)發(fā)射寬譜黃光(圖2e、f)。只使用單一的熒光,限制了CRI<75光源在冷白光和日光范圍內(nèi)(相關(guān)色溫CCT=4,000-8,000 K)的性能。然而,接近理論極限的高轉(zhuǎn)換效率令這些器件成為那些要求具有與日光相媲美CCT值(~6,400 K)汽車(chē)前燈的重要組成部分。

 

   理想自然色彩感知度的照明應(yīng)用首選更低的CCT值(2,00-4,000 K)和更高的CRIs>80。使用兩個(gè)或兩個(gè)以上發(fā)光材料(例如,綠光至黃光的LuAG:Ce或YAG:Ce結(jié)合紅光(Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+或(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+)更容易實(shí)現(xiàn)這些參數(shù)。調(diào)整這些材料的比例,可以獲得接近于黑體輻射的覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)的連續(xù)發(fā)射光譜(圖2g、h)。然而,CRI>90的高光質(zhì)量(通常用于需要最自然色彩的博物館、醫(yī)療室、零售商店等)通常以犧牲發(fā)光效率為代價(jià)??紤]到人眼視覺(jué)靈敏度曲線(圖2b),650 nm以后的光子很弱,造成發(fā)光效率的巨大損失。因此,相比于更注重紅光部件的pc-LED,可通過(guò)精細(xì)調(diào)節(jié)發(fā)光材料發(fā)射光譜的位置和寬度使得pc-LED更好的適應(yīng)視覺(jué)感知(同時(shí)也具有更高的發(fā)光效率)。

 

   5、提高白光中的紅色發(fā)光材料

 

   美國(guó)能源部最近設(shè)定了2020年照明級(jí)白光LED發(fā)光效率200Im W-1的市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)。如此高的效率通常要求pc-LEDs在苛刻的條件完成,例如芯片表面溫度達(dá)到200℃(由高電流密度產(chǎn)生)和主藍(lán)光LEDs的快速光子泵率。

 

   因此,適當(dāng)?shù)臒晒庑枰谶@些條件下表現(xiàn)出高轉(zhuǎn)換效率、快速衰減、以及高的抗熱降解。Eu2+摻雜的氮化物如 (Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+(通常其發(fā)射峰中心介于λem~590–625nm,半峰寬FWHM為2,050-2,600cm-1)或者(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+(λem~610–660nm, FWHM~2,100–2,500cm?1)已經(jīng)作為商用照明級(jí)白光pc-LEDs中紅光材料。

 

   然而,發(fā)射光譜的相關(guān)部分超出了人眼靈敏度范圍(紅外溢出,圖2g),限制了器件的整體發(fā)光效率。Sr1?xCaxS:Eu2+(λem~615–650nm, FWHM~1,550–1,840cm?1)等更窄發(fā)射材料也進(jìn)行了測(cè)試,但由于其與封裝材料會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)及其隨溫度升高轉(zhuǎn)換效率受限等原因,限制了工業(yè)應(yīng)用。

 

   最近的研究獲得了一類(lèi)新的具有非常窄紅光發(fā)射的氮化物材料。當(dāng)前的研究將Sr[LiAl3N4]:Eu2+(λem =650nm, FWHM~1,180cm?1)和Sr[Mg3SiN4]:Eu2+(λem=615nm, FWHM~1,170cm?1)作為下一代照明pc-LEDs的基礎(chǔ)。

 

   Sr[LiAl3N4]:Eu2+具有良好的熱性能,且在低CCT高CRI方面(比如CCT=2,700K, CRI>90)應(yīng)用時(shí)能夠降低紅外發(fā)射。相比于商用高CRI的LEDs(圖2g),有望增加4-12%的發(fā)光效率。進(jìn)一步的提高有望通過(guò)將紅光發(fā)射光譜移到更短波長(zhǎng)(~600–630nm)得到實(shí)現(xiàn),*好是具有更窄的發(fā)射帶。

 

   通用公司GE(Trigainphosphors)最近商業(yè)化的Mn4+摻雜氟化物是另外一類(lèi)窄紅光發(fā)射材料。這些材料的發(fā)射圖譜中630 nm附近出現(xiàn)幾條尖線(每條都<5nm),當(dāng)其與綠-黃發(fā)光石榴石材料結(jié)合時(shí)刻獲得高CRI、高發(fā)光效率的燈。然而,Mn4+較長(zhǎng)的發(fā)光衰減時(shí)間以及離子氟化物施主材料較低的熱穩(wěn)定性都有可能限制這些熒光粉生產(chǎn)相對(duì)較低電流密度和低發(fā)熱產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用。

 

   最后,直接紅光發(fā)射LEDs與互補(bǔ)pc-LEDs組合的雜化器件也可作為優(yōu)質(zhì)照明。然而,直接紅光LED的溫度敏感性要求更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),并將其應(yīng)用范圍限制在低熱約束領(lǐng)域,比如非定向的大面積照明。

 

   6、改進(jìn)LCDs綠色發(fā)射器

 

   LEDs廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代液晶顯示器(LCD)中的背光組件。在這些器件中,LED發(fā)光穿過(guò)一個(gè)偏振濾波器、一層液晶、彩色濾波器以及一個(gè)二級(jí)偏振濾波器(圖3a);穿過(guò)二級(jí)偏振濾波器的極化光的透射率取決于液晶的方向,可電調(diào)諧。與照明應(yīng)用不同,要求具有*佳的顯示性能。

 

   特別是,色域由LCD顯示提供,取決于白色背光LED源中紅色、綠色、藍(lán)色部分的CIE(國(guó)際照明委員會(huì)Commission Internationale de l'?clairage)圖中的位置,通常由特定標(biāo)準(zhǔn)(比如國(guó)家電視標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)NationalTelevision Standard Committee (NTSC), CIE 1931)校正。人眼的靈敏度以及波長(zhǎng)相關(guān)的分辨率在綠光波段內(nèi)更高,因此可區(qū)分大量的綠色調(diào)。

 

   結(jié)果就是,如果背光LEDs中綠光發(fā)射器帶寬較窄的話(圖3b),顯示于LCD上的色域?qū)⒚黠@增加。常用的石榴石材料(如具有寬帶綠-黃成分的YAG:Ce)的單一熒光粉pc-LEDs無(wú)法滿足這些要求,而紅、綠、藍(lán)三原色的LED難以應(yīng)用,特別是綠光LEDs的EQE很低。

 

   最先進(jìn)的高色域LEDs由窄帶綠光β-SiAlON:Eu2+(λem=525nm, FWHM~50nm)和窄帶紅光K2SiF6:Mn4+(λem=613, 631, 636, 648nm, each FWHM<5nm)結(jié)合而成。特別是在更小的顯示器中,例如平板電腦和某些TV模型,含有窄綠光和紅光發(fā)射的量子點(diǎn)的板材作為高色域背光。發(fā)展綠光波段內(nèi)具有窄發(fā)射帶寬的固態(tài)材料將有助于提高基于節(jié)能LED背光的LCD顯示器的最大可顯示色域。

 

   a. LCD顯示器示意圖。TFT表示薄膜晶體管(thin-film transistor)。

 

   b. 不同色域的CIE(1931)圖。黑點(diǎn)表示NTSC標(biāo)準(zhǔn)的色度坐標(biāo)。虛線表示NSTC色域。白點(diǎn)表示穿過(guò)相應(yīng)濾色片(藍(lán)、綠、紅)的背光LED的色度坐標(biāo)。根據(jù)發(fā)光材料的FWHM和光譜峰位置,綠色值可假設(shè)CIE圖中的不同位置,從而產(chǎn)生不同色域?;疑切伪硎緦拵ЬG-黃色發(fā)光石榴石可達(dá)到的色域。藍(lán)色和紅色三角形表示使用更窄的綠色發(fā)光材料增加的色域(見(jiàn)插圖)。

 

   插圖:黑色曲線顯示典型綠色濾波器的通帶。灰色、藍(lán)色及紅色曲線顯示CIE圖中對(duì)應(yīng)綠色發(fā)光元件的發(fā)射分布。

 

   7、應(yīng)用前景

 

   全球銷(xiāo)售數(shù)據(jù)證實(shí)LED照明市場(chǎng)不斷增長(zhǎng),在其他領(lǐng)域的擴(kuò)張也可預(yù)見(jiàn)。LEDs具有獨(dú)立色彩調(diào)節(jié)的潛力,因此可根據(jù)不同需求調(diào)整其發(fā)射性能。這類(lèi)光譜控制照明可適應(yīng)人體生理反應(yīng),例如有助于提高注意力或者改善睡眠。

 

   密集型LED照明在醫(yī)療方面的影響也越來(lái)越大,比如緩解肌肉緊張或者治療皮膚疾病。此外,采用特定波長(zhǎng)的固態(tài)照明有望刺激光合作用,優(yōu)化溫室作物的生長(zhǎng)。在普通照明領(lǐng)域,經(jīng)過(guò)成本效益和性能方面的不斷發(fā)展,我們將從新的LED產(chǎn)品中不斷獲利。

 

   二、LED產(chǎn)業(yè)鏈

 

   (一)LED簡(jiǎn)介

 

   1、LED基本介紹

 

   LED是“Light Emitting Diode”的縮寫(xiě),中文譯為“發(fā)光二極管”,是一種可以將電能轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件。LED的核心部分是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的芯片,在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個(gè)p-n結(jié),當(dāng)注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái),從而把電能轉(zhuǎn)換為光能。不同材料的芯片可以發(fā)出紅、橙、黃、綠、藍(lán)、紫色等不同顏色的光,“發(fā)光二極管”也因此而得名。

 

   與傳統(tǒng)照明相比,LED在節(jié)能方面優(yōu)勢(shì)明顯,是目前世界上先進(jìn)的照明技術(shù)。被業(yè)界認(rèn)為是人類(lèi)繼愛(ài)迪生發(fā)明白熾燈泡后偉大的發(fā)明之一。

 

   LED的另一大特點(diǎn)是環(huán)保。LED為固態(tài)發(fā)光器件,不含汞,在生產(chǎn)和使用中都不會(huì)因?yàn)槠屏褜?dǎo)致有毒金屬環(huán)境污染。

 

   2、LED應(yīng)用領(lǐng)域及其分類(lèi)

 

 

   在全球能源危機(jī)的大環(huán)境下,節(jié)能、環(huán)保、色彩豐富、安全、壽命長(zhǎng)、微型化的半導(dǎo)體LED照明已被世界公認(rèn)為人類(lèi)照明史上第三次照明革命。隨著 LED技術(shù)的提升,其應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷拓展和延伸,被廣泛運(yùn)用于液晶屏背光源、通用照明、信號(hào)顯示、信號(hào)燈和車(chē)用燈具等領(lǐng)域。

 

   3、LED封裝及其產(chǎn)品分類(lèi)

 

 

   LED封裝是指用環(huán)氧樹(shù)脂或有機(jī)硅等材料把LED芯片和支架包封起來(lái)的過(guò)程。具體而言,就是將LED芯片及其他構(gòu)成要素在支架或基板上布置、固定及連接,引出接線端子,并通過(guò)可塑性透光絕緣體介質(zhì)包封固定,構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的過(guò)程,為芯片的正常工作提供保護(hù)及散熱功能。

 

   目前,LED器件的類(lèi)型主要為直插型(Lamp)和表面貼裝型(SMD),其中,SMD型產(chǎn)品與Lamp型產(chǎn)品相比,具有很多獨(dú)到的優(yōu)異特性,如:組裝密度高、電子產(chǎn)品體積小、重量輕,節(jié)省材料、能源、設(shè)備、人力、時(shí)間等。具體體現(xiàn)為:

 

   (1)焊點(diǎn)缺陷率低,高頻特性好,減少了電磁和射頻干擾;

 

   (2)可靠性高、抗振能力強(qiáng);

 

   (3)易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,提高生產(chǎn)效率,降低成本達(dá)30%—50%;

 

   (4)貼片組件的體積和重量只有傳統(tǒng)插裝組件的1/10左右,一般采用SMT之后,電子產(chǎn)品體積縮小40%—60%,重量減輕60%—80%。

 

   目前,SMD LED主要應(yīng)用于背光、照明等領(lǐng)域。

 

   從封裝形式區(qū)分,SMD LED產(chǎn)品包括Chip類(lèi)、Top類(lèi)、Sideview類(lèi)和大功率類(lèi)產(chǎn)品,其中TOP類(lèi)、Sideview類(lèi)和大功率類(lèi)產(chǎn)品主要以白光、高亮為主,主要運(yùn)用領(lǐng)域?yàn)楸彻猓ㄈ纾菏謾C(jī)、電腦等領(lǐng)域)和照明(如:室內(nèi)照明、室外照明等),因此,SMD高端形式封裝的具體產(chǎn)品通常為T(mén)OP類(lèi)產(chǎn)品、Sideview類(lèi)產(chǎn)品和大功率類(lèi)產(chǎn)品,具體表現(xiàn)為白光、高亮產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)直插式器件市場(chǎng)已經(jīng)基本飽和,利潤(rùn)逐年下降;SMD低端器件競(jìng)爭(zhēng)已日趨白日化,SMD中高端器件產(chǎn)能處于逐步釋放階段,產(chǎn)品價(jià)格變化較大。

 

   4、LED按發(fā)光顏色分類(lèi)及其應(yīng)用

 

   LED屬于半導(dǎo)體光電器件范疇,依發(fā)光顏色分為單色光LED、全彩LED和白光LED。其中,白光LED主要用于背光和照明領(lǐng)域,用途較為廣泛。各色光LED分類(lèi)及應(yīng)用領(lǐng)域如下:

 

   隨著白光LED的發(fā)光效率的提升,半導(dǎo)體照明已廣泛應(yīng)用于手機(jī)、背光源、特種照明等領(lǐng)域,正向普通照明領(lǐng)域推進(jìn)。按照“美國(guó)半導(dǎo)體照明發(fā)展藍(lán)圖(OIDA2002.11)”規(guī)劃(資料來(lái)源:《中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展年鑒》(2008-2009)),到2012年照明用LED的發(fā)光效率達(dá)到150lm/w,2020年照明用LED的發(fā)光效率要達(dá)到200lm/w,滲透到所有照明領(lǐng)域。目前,白光LED的發(fā)光效率大約在120lm/w,不斷提升白光LED的發(fā)光效率已成為推動(dòng)白光LED技術(shù)進(jìn)步的重要內(nèi)容之一。到目前為止,還沒(méi)有發(fā)現(xiàn)比白光LED更適合于半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的產(chǎn)品。

 

   5、LED應(yīng)用發(fā)展概況

 

   早在1907年,人類(lèi)就發(fā)現(xiàn)了半導(dǎo)體材料的通電發(fā)光現(xiàn)象,然而直到20世紀(jì)60年代,由化合物半導(dǎo)體材料GaAsP制成的紅光LED才真正實(shí)現(xiàn)商用,但由于發(fā)光效率非常低,而成本卻非常高,當(dāng)時(shí)僅用于各種昂貴電子設(shè)備的信號(hào)指示燈。

 

   進(jìn)入90年代以后,隨著LED發(fā)光效率、發(fā)光強(qiáng)度的逐漸提高,以及發(fā)光光色對(duì)整個(gè)可見(jiàn)光譜范圍的全覆蓋,LED光源的節(jié)能效果和實(shí)用性得以凸顯,其應(yīng)用領(lǐng)域也得到了較大的拓展,目前LED已經(jīng)廣泛應(yīng)用于液晶屏背光源、戶(hù)外大屏幕、光通信光源、交通信號(hào)燈、舞臺(tái)燈、景觀燈、汽車(chē)尾燈,并逐漸進(jìn)入路燈、室內(nèi)照明、汽車(chē)前燈等傳統(tǒng)照明應(yīng)用領(lǐng)域。

 

 

   6、全球LED封裝行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r

 

   全球LED封裝行業(yè)的發(fā)展是伴隨著LED產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行的,具有明顯的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移特征。全球五大LED巨頭:日本Nichia、ToyodaGosei、美國(guó)CREE、Lumileds、德國(guó)Osram代表了LED的高技術(shù)水平,引領(lǐng)著LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

 

   20世紀(jì)50年代,英國(guó)發(fā)明了第*枚具有現(xiàn)代意義的LED(Light EmittingDiode),1962年美國(guó)通用電氣公司率先研制出第*種實(shí)際應(yīng)用的可見(jiàn)光發(fā)光二極管。到了20世紀(jì)70年代,黃色和綠色LED發(fā)光器誕生,伴隨著新材料的發(fā)明和光效的提高,單個(gè)LED光源的功率和光通量也在迅速增加。之后的數(shù)十年LED發(fā)展迅速,遵守摩爾定律,每18個(gè)月亮度就會(huì)提高一倍。20世紀(jì)90年代,由日本的日亞公司研發(fā)出了藍(lán)色LED,帶動(dòng)白光LED的開(kāi)發(fā)成功,使得LED應(yīng)用從單純的標(biāo)識(shí)顯示功能向照明功能邁出了實(shí)質(zhì)性的一步。

 

   隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,LED正在突破光衰、散熱、光效等問(wèn)題,逐步成為公認(rèn)的節(jié)能、環(huán)保的新型光源,具有優(yōu)越的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益,應(yīng)用前景極其廣闊。各國(guó)政府日益重視,為節(jié)約能源、推行環(huán)保,目前很多國(guó)家都在加緊立法或推出相應(yīng)科研、應(yīng)用計(jì)劃,或制訂明確的鼓勵(lì)使用節(jié)能型光源的時(shí)間表。2001年7月,美國(guó)能源部啟動(dòng)一項(xiàng)名為“Next-GenerationLightingInitiative(NGLI)”計(jì)劃,即“下一代照明計(jì)劃”。日本21世紀(jì)照明計(jì)劃是由日本金屬研發(fā)中心和新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)發(fā)起和組織的一個(gè)國(guó)家計(jì)劃。2000年7月,歐盟實(shí)施彩虹計(jì)劃(Rainbow project bringscolorto LEDs),設(shè)立執(zhí)行研究總署(ECCR),通過(guò)歐盟的BRITE/EURAM-3program支持推廣白光LED的應(yīng)用。為應(yīng)對(duì)全球節(jié)能環(huán)保趨勢(shì),韓國(guó)產(chǎn)業(yè)資源部成立了“GaN光半導(dǎo)體”開(kāi)發(fā)計(jì)劃,來(lái)發(fā)展以GaN材料為主的白光LED照明光源相關(guān)研究。中國(guó)2000年開(kāi)始持續(xù)推出眾多LED扶持政策,并于2009年開(kāi)展“十城萬(wàn)盞”LED照明推廣計(jì)劃,大力發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)。

 

   全球LED產(chǎn)業(yè)在各國(guó)政府政策的大力扶持下,LED在各領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,獲得了快速的發(fā)展。當(dāng)前,全球LED封裝產(chǎn)業(yè)主要集中于日本、臺(tái)灣、美國(guó)、歐洲、韓國(guó)和中國(guó)大陸等區(qū)域。其中日本、美國(guó)、歐洲,因?yàn)閾碛邢劝l(fā)產(chǎn)業(yè)技術(shù)和制造設(shè)備優(yōu)勢(shì),為全球早的LED封裝產(chǎn)業(yè)發(fā)展區(qū)域;臺(tái)灣和韓國(guó)擁有消費(fèi)類(lèi)電子完整產(chǎn)業(yè)鏈,產(chǎn)業(yè)上中下游分工明確,產(chǎn)業(yè)鏈供銷(xiāo)穩(wěn)定,因此近年來(lái)迅速崛起;中國(guó)大陸地區(qū)具有成本優(yōu)勢(shì)和迅速擴(kuò)大的LED應(yīng)用市場(chǎng),在近的10年時(shí)間里,世界各國(guó)包括臺(tái)灣地區(qū)的LED封裝資本不斷的向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移,紛紛在中國(guó)大陸設(shè)立封裝廠,內(nèi)資封裝企業(yè)不斷成長(zhǎng)發(fā)展,技術(shù)不斷成熟和創(chuàng)新,使得中國(guó)大陸也成為L(zhǎng)ED封裝迅速崛起的地區(qū)之一。

 

   LED封裝具有技術(shù)密集型和資本密集型的特點(diǎn),由于中國(guó)大陸具有成本優(yōu)勢(shì)和迅速擴(kuò)大的LED應(yīng)用市場(chǎng),國(guó)際及臺(tái)灣封裝廠商紛紛到大陸投資建廠,以取得就近配套與終端市場(chǎng)優(yōu)勢(shì),使得中國(guó)大陸的LED封裝產(chǎn)業(yè)得以持續(xù)快速的增長(zhǎng),也使得中國(guó)大陸成為全球重要的LED封裝基地,這不僅擴(kuò)大了中國(guó)大陸LED封裝在世界LED封裝領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率,同時(shí)也提升了中國(guó)大陸廠商的LED封裝技術(shù),加速了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。中國(guó)封裝產(chǎn)業(yè)初步形成了珠江三角洲、長(zhǎng)江三角洲、閩贛地區(qū)、環(huán)渤海區(qū)域等四大LED密集區(qū)域,中國(guó)已經(jīng)成為世界重要的LED封裝基地。

 

   7、LED封裝行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)

 

   1)SMD封裝逐漸成為L(zhǎng)ED封裝的主要形式

 

   表面貼裝封裝的SMD LED成為一個(gè)發(fā)展熱點(diǎn),很好地解決了亮度、視角、平整度、可靠性、一致性等問(wèn)題,采用更輕的PCB板和反射層材料,在顯示反射層需要填充的環(huán)氧樹(shù)脂更少,并去除較重的碳鋼材料引腳,通過(guò)縮小尺寸,降低重量,可輕易地將產(chǎn)品重量減輕一半,終使應(yīng)用更趨完美,尤其適合對(duì)產(chǎn)品厚度不斷減少的各類(lèi)背光產(chǎn)品及戶(hù)內(nèi),半戶(hù)外全彩顯示屏應(yīng)用。

 

   SMD LED封裝具有一定的技術(shù)難度,這種技術(shù)難度體現(xiàn)在:

 

   一是如何設(shè)計(jì)器件結(jié)構(gòu),優(yōu)化封裝材料組合,以提高器件發(fā)光效率,并使配光曲線滿足要求。良好的封裝形式不僅能夠提高LED芯片的使用效果,也有助于企業(yè)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的差異化。SMD器件結(jié)構(gòu)的不斷研究,帶來(lái)了器件結(jié)構(gòu)的不斷發(fā)展,針對(duì)細(xì)分市場(chǎng)的專(zhuān)用器件不斷出現(xiàn),如滿足戶(hù)外顯示屏應(yīng)用要求的橢圓形LED、滿足小尺寸LCD背光要求的側(cè)面發(fā)光LED等。

 

   二是有效解決散熱問(wèn)題,以提高器件可靠性。LED器件熱阻高會(huì)導(dǎo)致芯片的PN結(jié)溫升高,引起LED光衰發(fā)生、散熱是LED封裝首要的技術(shù)難點(diǎn)。本項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的持續(xù)研究,豐富和發(fā)展了封裝材料,從而使器件熱阻大大降低,器件壽命有了根本保證。

 

   白光LED的封裝技術(shù)成為業(yè)界為關(guān)注且投入研究力量多的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),利用先進(jìn)的封裝技術(shù),提高對(duì)白光LED色溫、色度坐標(biāo)、顯色指數(shù)等參數(shù)的控制,從而獲得品質(zhì)優(yōu)良的白光LED,以滿足不同市場(chǎng)對(duì)不同白光LED的要求,實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的白光LED色溫、色度坐標(biāo)、顯色指數(shù)高度集中,對(duì)任何廠商而言,都是極具挑戰(zhàn)性的技術(shù)難題。

 

   2)背光源和照明產(chǎn)品將成LED市場(chǎng)后續(xù)高速成長(zhǎng)的動(dòng)力

 

   隨著LED背光源在大尺寸液晶面板中滲透率的快速提升和LED照明市場(chǎng)的超預(yù)期發(fā)展,整個(gè)LED行業(yè)將會(huì)出現(xiàn)加速增長(zhǎng)勢(shì)頭。LED背光和LED通用照明是增長(zhǎng)快的兩個(gè)領(lǐng)域,背光源和照明將成LED市場(chǎng)后續(xù)高速成長(zhǎng)的動(dòng)力。

 

   8、背光LED市場(chǎng)需求

 

   LED背光源包括小尺寸背光源、中尺寸背光源以及大尺寸背光源,其中小尺寸背光源主要應(yīng)用于手機(jī)、MP3、MP4、PDA、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)和健身器材等;中尺寸背光源,主要用于筆記本電腦、上網(wǎng)本、計(jì)算機(jī)顯示器和監(jiān)視器等;大尺寸主要應(yīng)用于液晶電視等。

 

   不同尺寸液晶屏對(duì)LED背光源的數(shù)量及性能要求如下:

 

 

   9、照明LED市場(chǎng)需求

 

   LED照明較普通照明具備節(jié)能、環(huán)保、響應(yīng)時(shí)間短、使用時(shí)間長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì),決定了它是理想的替代光源。目前其使用成本偏高,其大力推廣受到了制約,但是隨著LED成本的逐步降低,同時(shí)在各國(guó)政府致力推廣節(jié)能政策、全球范圍內(nèi)逐步淘汰白熾燈的推動(dòng)下,LED照明將帶來(lái)巨大的發(fā)展機(jī)遇。LED照明應(yīng)用市場(chǎng)主要可分為室外景觀照明(護(hù)欄燈、投射燈、草坪燈等)、室內(nèi)普通照明、裝飾照明、專(zhuān)用照明(路燈、手電筒、頭燈、閱讀燈等)、特種照明(軍用、醫(yī)用照明、生物專(zhuān)用燈等)和車(chē)燈照明等。

 

   隨著白熾燈泡的禁用,10W以下的LED燈泡商機(jī)涌現(xiàn)。依現(xiàn)階段照明占全球電力消耗的比重達(dá)19%,耗能總量達(dá)到2651TWH。如果能夠?qū)F(xiàn)有的光源替換成節(jié)能光源,預(yù)計(jì)將可以省下30%能源消耗。若再進(jìn)一步將節(jié)能光源與感測(cè)器、智能電網(wǎng)等相關(guān)應(yīng)用作結(jié)合,預(yù)計(jì)還可以再節(jié)省30%的能源消耗。如果到2030年能夠節(jié)省50%的能耗,相當(dāng)于減少20億桶石油的二氧化碳排放量。

 

   全球白熾燈泡的年平均消耗量在200億只,LED在白熾燈照明領(lǐng)域滲透率每提升一個(gè)百分點(diǎn),就會(huì)帶來(lái)32億顆LED封裝器件的增量需求。

 

   10、中國(guó)大陸LED封裝行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

 

   這四大區(qū)域一直是中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)所在,也是LED產(chǎn)品應(yīng)用推廣的主要地區(qū)。其中珠三角地區(qū)是中國(guó)LED封裝企業(yè)集中,封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模大的地區(qū),企業(yè)數(shù)量占全中國(guó)的一半左右,該區(qū)域匯聚眾多封裝物料與封裝設(shè)備的生產(chǎn)商與代理商,配套為完善,其他3個(gè)地區(qū)企業(yè)規(guī)模較小。長(zhǎng)三角地區(qū),以上海、杭州、揚(yáng)州、寧波為產(chǎn)業(yè)聚集中心,投資環(huán)境較好,為中國(guó)的LED產(chǎn)業(yè)第二大封裝基地,產(chǎn)業(yè)鏈上下游較平衡。閩贛地區(qū)主要是以廈門(mén)、泉州、南昌、景德鎮(zhèn)為產(chǎn)業(yè)聚集中心,為中國(guó)大的外延、芯片制造基地,因臨近臺(tái)灣,具有優(yōu)越的LED產(chǎn)業(yè)對(duì)接優(yōu)勢(shì)。環(huán)渤海地區(qū)是以北京、石家莊、沈陽(yáng)、大連、山東濰坊為產(chǎn)業(yè)聚集中心,其特點(diǎn)是科研單位、研究所和大學(xué)眾多,因此在LED制程技術(shù)、LED設(shè)備研究方面一直走在中國(guó)前列。

 

   11、產(chǎn)業(yè)鏈概述

 

   LED產(chǎn)業(yè)具有典型的不均衡產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu),一般按照材料制備、芯片制備和器件封裝與應(yīng)用分為上、中、下游,雖然產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)不多,但其涉及的技術(shù)領(lǐng)域廣泛,技術(shù)工藝多樣化,每一領(lǐng)域的技術(shù)特征和資本特征差異很大。

 

   LED產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈主要可分四部分:即LED外延片生長(zhǎng)、芯片制造、器件封裝和應(yīng)用產(chǎn)品及相關(guān)配套產(chǎn)業(yè),分為上游、中游和下游。半導(dǎo)體襯底材料、外延晶片的制造是上游產(chǎn)業(yè),芯片制造是中游產(chǎn)業(yè),器件封裝及基于LED器件的應(yīng)用產(chǎn)品制造是下游產(chǎn)業(yè)。

 

 

   12、生產(chǎn)工藝流程

 

   白光LED的封裝工藝的實(shí)現(xiàn)是采用高精度全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備,封裝環(huán)境為萬(wàn)級(jí)無(wú)塵車(chē)間。

 

   A、背光LED器件生產(chǎn)工藝流程圖

 

 

   B、照明LED器件生產(chǎn)工藝流程圖

 

 

   (1)大功率(含0.5W及以上)照明LED

 

   13、環(huán)境保護(hù)

   生產(chǎn)過(guò)程中不存在高危險(xiǎn)或重污染的情況,所生產(chǎn)產(chǎn)品亦為節(jié)能環(huán)保產(chǎn)品。主要污染源和污染物為:生活廢水、一般廢氣、有機(jī)廢氣、噪聲源和固體廢物,其中,噪聲源來(lái)自切割機(jī)、焊線機(jī)等工藝設(shè)備和冷凍機(jī)、各種泵、冷卻塔和空調(diào)機(jī)組,固體廢物為生產(chǎn)過(guò)程產(chǎn)生的邊角料。

 

   14、安全生產(chǎn)衛(wèi)生

 

   (1)在工藝設(shè)計(jì)中采用合理的生產(chǎn)組織,先進(jìn)的生產(chǎn)流程及生產(chǎn)技術(shù),將危險(xiǎn)和有害因素減至低程度。

 

   (2)生產(chǎn)中產(chǎn)生的有害氣體的工藝設(shè)備設(shè)局部排風(fēng)裝置,并處理達(dá)標(biāo)后再排放,確保生產(chǎn)人員的身體健康。

 

   (3)所有用電設(shè)備、配電設(shè)備設(shè)安全接地,配電系統(tǒng)設(shè)短路保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)等措施,保證用電安全。對(duì)高大建筑物采用避雷針?lè)绞健?80/220V供電系統(tǒng)采用接零保護(hù),防止出現(xiàn)電擊事故。

 

   (4)主要建筑物設(shè)避雷網(wǎng)。

 

   (5)廠房出入口及潔凈區(qū)內(nèi)有應(yīng)急照明、安全出口供疏散使用。發(fā)生事故時(shí),人員可迅速撤離。

 

   (6)對(duì)風(fēng)機(jī)、泵等設(shè)備產(chǎn)生的噪聲采取一系列降低噪聲措施,例如選用低噪聲設(shè)備,采用減振基礎(chǔ)、消聲器等保證室內(nèi)噪聲符合國(guó)家規(guī)范要求。